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CSTM-FC51-TC04再推兩項核心團體標準,驅(qū)動電子電路鍍銅技術(shù)高質(zhì)量發(fā)展
信息來源:光華科技2025-04-29

核心導(dǎo)讀

4月28日,中國材料與試驗標準化委員會電子材料標準化領(lǐng)域電子電路用化學(xué)品標準化技術(shù)委員會(以下簡稱:CSTM-FC51-TC04)秘書處組織的《電子電路電鍍銅填塞微導(dǎo)通孔技術(shù)規(guī)范》、《印制電路板鍍覆通孔深鍍能力測試方法》2項團體標準立項評審會在廣州順利召開。













會議由TC04技術(shù)委員會秘書長賴少媚主持。來自安捷利(番禺)電子實業(yè)有限公司、深南電路股份有限公司、廣東生益科技股份有限公司、廣州陶積電電子科技有限公司、廣東工業(yè)大學(xué)的5位評審專家出席了會議,標準起草單位廣東光華科技股份有限公司、廣東東碩科技有限公司、生益電子股份有限公司、廣州興森快捷電路科技有限公司、工業(yè)和信息化部電子第五研究所、汕頭超聲印制板公司以及TC04秘書處等10余人通過線上、線下形式參加此次標準立項評審會。

會上,專家組聽取了標準申報單位對申報標準的情況介紹,包括標準制定的必要性和可行性、現(xiàn)行有關(guān)國內(nèi)外標準情況、項目涉及專利情況、項目的應(yīng)用前景、項目工作組構(gòu)成以及標準草案等。專家組通過對標準文本規(guī)范性、技術(shù)要素和指標的科學(xué)性、合理性及可操作性進行充分的研討論證,提出了建議和意見。最后,《電子電路電鍍銅填塞微導(dǎo)通孔技術(shù)規(guī)范》、《印制電路板鍍覆通孔深鍍能力測試方法》2項團體標準一致通過了立項評估。

隨著5G通信、AI芯片等技術(shù)的突破,多層板、高密度互連電路板(HDI)、封裝基板等高端高端電子電路基板應(yīng)用需求占比越來越高。電鍍銅是印制電路板、封裝基板生產(chǎn)制造的核心工藝之一。隨著電子信息技術(shù)的快速發(fā)展,電鍍銅填塞微導(dǎo)通孔技術(shù)相較于傳統(tǒng)的鍍覆孔技術(shù)具有更高的導(dǎo)熱性能和導(dǎo)電性能。然而,傳統(tǒng)的電鍍銅填塞技術(shù)標準體系難以滿足這一新型電鍍銅填塞微導(dǎo)通孔技術(shù)評價需求。由廣東東碩科技有限公司牽頭起草的《電子電路電鍍銅填塞微導(dǎo)通孔技術(shù)規(guī)范》通過量化填塞均勻性、導(dǎo)電性等關(guān)鍵參數(shù),構(gòu)建科學(xué)評價體系,解決傳統(tǒng)標準“跟不上技術(shù)迭代”的難題。

鍍覆通孔在電子基板中起到電氣互連、信號傳輸?shù)闹匾饔?。隨著電子電路向精細化、密集化發(fā)展,鍍覆通孔朝著小直徑、高厚徑比、更密集分布、大電流密度工藝的方向迭代。鍍覆孔的鍍層質(zhì)量對基板的功能化運行和可靠性起到?jīng)Q定性作用。深鍍能力是評價電鍍液電鍍覆蓋能力的關(guān)鍵指標。然而,目前行業(yè)對鍍覆通孔深鍍能力的評價方法五花八門,缺乏統(tǒng)一的測試方法標準,導(dǎo)致對鍍覆層質(zhì)量的評價結(jié)果不一。對此,由工業(yè)和信息化部電子第五研究所牽頭起草的《印制電路板鍍覆通孔深鍍能力測試方法》團體標準將主要規(guī)定電子基板中鍍覆通孔深鍍能力的試驗步驟和試驗數(shù)據(jù)處理方法。

這兩項標準的建立,有效填補了行業(yè)標準缺失,推動電鍍關(guān)鍵材料生產(chǎn)企業(yè)和應(yīng)用企業(yè)規(guī)范化生產(chǎn)和工藝質(zhì)量提升,提升了我國高端電子電鍍的綜合競爭實力。


此次兩項團體標準的成功立項,標志著電子電路行業(yè)在工藝評價與技術(shù)規(guī)范化領(lǐng)域邁出了重要一步。通過整合產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)、科研機構(gòu)及檢測單位的專業(yè)力量,CSTM-FC51-TC04標委會以協(xié)同創(chuàng)新為紐帶,為行業(yè)搭建了高效、統(tǒng)一的技術(shù)標準體系。未來,隨著更多前瞻性標準的制定與落地,我國電子電路產(chǎn)業(yè)將加速突破關(guān)鍵技術(shù)瓶頸,以技術(shù)規(guī)范引領(lǐng)電子電路制造工藝革新,推動高端制造工藝與國際標準接軌,在全球產(chǎn)業(yè)鏈競爭中構(gòu)筑核心優(yōu)勢,為電子信息產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展提供堅實支撐。


新聞來源 |?CSTM電子材料標準化領(lǐng)域電子電路用化學(xué)品標準化技術(shù)委員會秘書處

通訊員 | Fang D.X.

撰稿 |?Fang D.X.

編輯 |?Mai S.X.

審核 | Lai S.M.

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